Indietro

ⓘ Stress Induced Voiding




                                     

ⓘ Stress Induced Voiding

Con lespressione Stress Induced Voiding si indica un fenomeno fisico che porta al guasto di un dispositivo elettronico. Questo fenomeno influisce sullaffidabilità del dispositivo elettronico in quanto ne implica un malfunzionamento a livello elettrico.

I danni causati dal SIV sono simili a quelli dovuti al fenomeno dellelettromigrazione; infatti la conseguenza del SIV è la formazione di void vuoti lungo le linee di metallo del dispositivo.

Questo difetto è studiato in modo approfondito a causa del suo impatto sempre maggiore sullaffidabilità del dispositivo. Mentre per lelettromigrazione esistono delle formulazioni matematiche che sono ormai adottate per stabilire il tempo di vita medio del dispositivo, nel caso del SIV non esiste un teoria unica, bensì diverse teorie che cercano di interpretare tale fenomeno.

In generale si può affermare che il SIV ha una grande dipendenza dallo stress e dal gradiente dello stesso allinterno delle linee di interconnessione. Esistono alcuni test specifici relativi allaffidabilità dei dispositivi che mettono in luce la presenza di un malfunzionamento dovuto a tale fenomeno. In questi test si impongono sollecitazioni di tipo termico per lunghi periodi: si è visto, infatti, che con queste sollecitazioni si facilita la formazione dei void indotti dal SIV, e quindi risulta possibile scartare i dispositivi difettosi.