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ⓘ Indio gallio zinco ossido




                                     

ⓘ Indio gallio zinco ossido

Indium gallium zinc oxide è un materiale semiconduttivo, costituito da indio, gallio, zinco e ossigeno. Il TFT avente lIGZO è usato nel backplane degli schermi piatti. LIGZO-TFT è stato sviluppato dal gruppo di Hideo Hosono presso il Tokyo Institute of Technology con la collaborazione della Japan Science and Technology Agency nel 2003 e nel 2004. NellIGZO-TFT, lelettrone ha una mobilità superiore, rispetto al silicio amorfo, che può variare dalle 20-50 volte. Come risultato, lIGZO-TFT può migliorare la velocità, la risoluzione e la dimensione degli schermi piatti. È considerato come uno dei TFT più promettenti per poter essere usato nei pannelli OLED.

IGZO-TFT le sue applicazioni sono di proprietà di JST. Sono stati conferiti in licenza a Samsung Electronics nel 2011 e Sharp nel 2012.

                                     
  • L idrossido di potassio o potassa caustica è il prodotto di idratazione dell ossido di potassio. A temperatura ambiente si presenta come un solido incolore
  • L idrossido di bario è il prodotto dell idratazione dell ossido di bario. A temperatura ambiente si presenta come una massa cristallina bianca semi translucida
  • disidratando l acido iodico a 200 C. HIO3 I2O5 H2O Il pentossido di iodio ossida facilmente il monossido di carbonio ad anidride carbonica a temperatura
  • Adsorbimento su idrossido di ferro granulato Idrossido ferroso Adsorbimento su idrossido di ferro Ossido di ferro Ferrobatteri Reazione esotermica Ossidazione
  • trova nei minerali rari behoite e clinobehoite. Viene usato per produrre l ossido di berillio e altri composti di berillio. È un composto tossico e cancerogeno
  • L idrossido di litio è il prodotto di idratazione dell ossido di litio. A temperatura ambiente si presenta come un solido incolore ed inodore e ha l aspetto
  • forme idrate dello ioduro di magnesio si possono preparare a partire da ossido di magnesio, idrossido di magnesio, o carbonato di magnesio per trattamento
  • Sons, 2009, ISBN 0 - 470 - 57636 - 7. Reattivo di Schweizer Idrossido Ossido rameoso Ossido rameico Rame Altri progetti Wikibooks Wikimedia Commons Wikibooks
  • soluzione. Il nucleo AlO6 ha simmetria ottaedrica. Anche gli acquoioni di gallio III indio III e tallio III hanno numero di solvatazione 6. Si presume che

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